）中，电子在外加电场达到临界值时通过声学声子辅助跃迁至高能谷，引起有效质量改变及迁移率下降的现象。该效应与
在双能谷半导体中，该效应可通过调整器件尺寸、掺杂分布及偏置电压实现沟道均匀电场分布，抑制高场畴形成
。共振隧道二极管在钙钛矿氧化物量子阱结构中可观察到负微分电阻效应，其电阻OFF/ON比达2.3×10⁴，隧穿寿命为0.47飞秒
研究表明，采用凹槽势垒层AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构可增强该效应在
在极端电场下产生的电子电荷云前端减速效应，已被用于开发频率达1 THz的激光驱动半导体开关
Negative differential mobility effect
，在外加电场升高到足以发射有光学声子参与的散射之前，短波声学声子因已足以提供可弥补两个不等价能谷之间的能量差，而使热电子从主能谷向能量较高的子能谷
，又称为负阻特性，负微分电阻一般是指n型的GaAs 和 InP等双能能谷半导体中由于电子转移效应（Transferred-electr on effect）而产生的一种效果——电压增大、电流减小所呈现出的电阻。
没有一个单一的电子元件，可以在所有工作范围都呈现负阻特性，不过有些二极管（例如
也有类似的负阻特性。负阻元件在电子学中可制作双稳态的切换电路及频率接近
或谐振腔等会和有施加偏压的负阻元件相接。负阻元件可以抵消振荡电路中电阻带来的能量损失，使振荡电路可以持续振荡。这类电路多半是用在
、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟，结果表明通过适当选取器件尺寸、
分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场，使沟道具有负RC效应而不出现高场畴
对 Ga As光导开关非线性工作时 ，负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ，给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外
，会导致阴极附近电场的动态增强 ，使得阴极附近的电场达到本征碰撞电离发生的阈值电场 ，从而引发本征碰撞
2019-01-21
